IBM ve Samsung, yarı iletken tasarımındaki en son ilerlemelerini duyurdu. İki şirket, transistörleri bir çip üzerinde yatay yerine dikey olarak yerleştirmenin bir yolunu buldu. Yeni Dikey Aktarım Alan Etkili Transistörler (VTFET) ismi verilen bu tasarım, günümüz işlemcilerine kıyasla işlemcilerin içerisine daha fazla transistör yerleştirilmesine izin veriyor. Bu tasarımla birlikte, transistörler dikey olarak istiflenecek ve şu anda çoğu çipte kullanılan yan yana yatay düzen yerine, akım transistörler arasında yukarı ve aşağı akabilecek. IBM ve Samsung, yeni tasarımın performansta iki kat iyileştirme ve enerji kullanımında yüzde 85 azalma sağlayacağını iddia ediyor. 
Her ne kadar bu teknoloji yakın bir zamanda kullanıma sunulmayacak olsa da IBM ve Samsung, yeni tasarım sayesinde yongalara daha fazla transistör sığdırarak, akıllı telefonların şarj ömürlerinin 1 haftayı aşabileceğini iddia ediyor. Tüm bu veriler kulağa oldukça heyecan verici gelse de her iki şirket, bu teknolojinin ne zaman ticarileştirileceğine dair bir açıklama yapmadı.
Her ne kadar bu teknoloji yakın bir zamanda kullanıma sunulmayacak olsa da IBM ve Samsung, yeni tasarım sayesinde yongalara daha fazla transistör sığdırarak, akıllı telefonların şarj ömürlerinin 1 haftayı aşabileceğini iddia ediyor. Tüm bu veriler kulağa oldukça heyecan verici gelse de her iki şirket, bu teknolojinin ne zaman ticarileştirileceğine dair bir açıklama yapmadı.